獵戶(hù)座3100系統：完善的空氣分子污染物監測系統

實(shí)時(shí)監測空氣分子污染（AMC ）對于半導體生產(chǎn)過(guò)程極為重要。

快速監測、報警、極低濃度測量、寬測量區域、多氣體的高靈敏響應等是半導體工業(yè)要求之一。深紫外光刻工藝特別關(guān)注氨、胺類(lèi)、N-甲基毗咯烷酮NMP、酸類(lèi)等濃度測量，當這些氣體與化學(xué)放大光刻膠反生反應 時(shí)，將深深的影響半導體器件質(zhì)量。

傳統古老的方法多采用間接測量分析方法。包括撞擊濾塵器、離子色譜、化學(xué)熒光法，這些方法分析速度太慢，操作過(guò)程太復雜，昂貴并且測量結果不精確。

CEAS （腔增強吸收光譜）---原理

基于CEAS（腔增強吸收光譜）技術(shù)的儀器原理圖，使用近紅外波段光進(jìn)行高靈敏度吸收測量，測量腔室由一組高反射率多次反射鏡片組成的柱狀體構成，激光束經(jīng)過(guò)固態(tài)校準器（FSR=2.00GHz）時(shí)會(huì )測量得到相對激光波長(cháng)。為了保證清晰度，忽略了原本照射到左側測量單元腔鏡外的光束。